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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2N5400 |
| 文档 |
Multiple Devices 02/Jan/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 10mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 400MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 150 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 1 mA at 5 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
| 连续集电极电流 | - 0.5 A |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 最小直流电流增益 | 30@1mA@5V|40@10mA@5V|40@50mA@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 400 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 130 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 120 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 400MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 10mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 400MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 10mA, 5V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 120V |
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